A folyékony szilícium beszivárgás fontos folyamat a modern kerámia mátrixú szénszál erősítésű kompozitok gyártásában. Ezek a kompozitok kiváló anyagtulajdonságokkal rendelkeznek, például nagy hőstabilitással, magas hővezető képességgel, alacsony sűrűséggel és nagy kopásállósággal.
Tulajdonságaik miatt a C/C - SiC kompozitok ezért az erősen oxidáló légkörökben és nagyon magas hőmérsékleten a legmegfelelőbb anyagok. Ezt az anyagot használják például rakéták sugárhajtóművének szárnylapátjaiban, sportautók fékbetéteiben, golyóálló mellényekben és űrhajók orrfedeleiben (földi légkörbe való visszatérés).
Egyik fő gyártási eljárás e vegyületeknél a folyékony szilícium infiltráció, pontosabban a porózus C/C folyékony szilícium infiltrációja (LSI). Más eljárásokkal, például a kémiai gőzinfiltrációval összehasonlítva az LSI egy költséghatékony és gyors gyártási folyamat, amely a Carbolite Gero HTBL GR vákuumkemencéjében végezhető el.
A kemencében végzett hőkezelés során a szilícium a porózus C/C anyag tetejére olvad, és diffundál az anyag pórusaiba. Ennek eredményeképpen a szénmátrix reakcióba lép a szilíciummal, ami SiC-t képez, és egy olyan sűrű anyagot eredményez, amelyben a C/C szegmenseket SiC választja el egymástól.
A HTBL kemence teljes körű hozzáférhetősége nagyon előnyös ennél az alkalmazásnál. Az automatikus szoftveres vezérlés lehetővé teszi a felügyelet nélküli működést, és biztosítja a megfelelő adatnaplózást.
Két HTBL 80 GR/22-1G kemence a vevő telephelyén történő telepítés során. Az egyik HTBL-t a pirolízisfolyamathoz használják. A másik HTBL-t a folyékony szilícium beszivárgási eljáráshoz használják.
Forgódugattyús (roots) vákuumszivattyú szolgál a végső finomvákuum elérésére. Speciális olajpumpa használatos a debinding eljárás parciális nyomás alatti kivitelezéséhez. A vákuumszivattyú elhelyezése külön egységet képez.
Terelőlemezek eredeti pozíciója szilikálás előtt: terelőlemezek merőlegesek a grafitrudakra. Grafitrudak párhuzamosak egymással. Követkető kép ugyanezen izzítótégelyeket mutatja szilikálás után.